| 品牌 | 昊量光電 | 產地類別 | 進口 |
|---|---|---|---|
| 應用領域 | 綜合 |
像素陣列
昊量光電推出的Luxium 像素陣列(Pixellated Arrays)是面向輻射探測的線性 / 二維閃爍晶體陣列,核心優勢在于低串擾、高像素一致性與材料適配靈活性,適配 PET/CT、工業安檢、核醫學成像等高精度輻射探測場景,可與 SiPM/PMT/光電二極管無縫集成。
可以提供像素化陣列組件,其中包括諸如 LYSO、CdW04、CsI(Tl) 和 BGO 之類的晶體,或者諸如發光塑料之類的其他材料。提供多種設計選項和反射材料,以優化陣列性能,滿足您的應用需求。

二維閃爍晶體陣列(像素陣列)核心技術優勢:
低串擾光學設計:采用復合反射層(金屬 + 白色環氧)與精準像素分割工藝,像素間串擾 < 5%,確保多像素同步探測時的信號獨立性。
高一致性制造工藝:晶體切割與研磨精度達 ±0.01mm,像素間光輸出均勻性 ±10%,批次間一致性 ±10%,適配大規模陣列拼接應用。
材料適配靈活性:支持 CsI (Tl)、LYSO、BGO、CdWO?等主流閃爍晶體,可根據探測能量(keV-MeV)、衰減時間(36ns-14μs)與余暉特性選擇蕞優材料。
環境適配:晶體陣列可封裝為 IP68 防護等級,耐受 - 40℃~+85℃溫度范圍,適配石油測井、航空航天等惡劣工況。
在像素尺寸、像素數量、像素間隔材料(包括反射材料和/或輻射屏障材料)以及晶體表面處理方式等方面,有多種設計選擇可供選擇。
線性陣列組件:(單行像素)——線性陣列組件通常與像素化光電二極管配合使用,常用于安全類應用中,常見的是行李掃描儀、貨物檢查以及其他非破壞性檢測。在醫療應用中,諸如 LYSO 這樣的晶體則用于骨礦物質密度測定儀中。
二維陣列組件(以 X-Y 矩陣形式排列的像素)——二維陣列通常與像素化光電二極管、位置敏感光電倍增管(PSPMT)和硅光電倍增管(SiPM)配合使用,其蕞常見的應用領域是醫療成像掃描儀(PET、SPECT、CT)、無損檢測與檢查。
二維閃爍晶體陣列(像素陣列)可用像素尺寸:
| Minimum Discrete Pixel Sizes Available in Crystal Scintillators | |||
| Material | Minimum Pixel Sizes* | Comments | |
| Linear (mm) | 2D (mm) | ||
| CsI(Tl) | 0.3 | 0.5 | |
| CdWO4 | 0.3 | 1.0 | Cleavage Plane |
| BGO | 0.3 | 0.3 | |
| LYSO | 0.8 | 0.8 | Min. Untested |
| *Guidelines, not hard numbers | |||
分隔器/反射器:
像素的幾何形狀、反射器的厚度、所使用的閃爍體材料以及其他因素都會影響每個陣列設計所獲得的反射率。陣列反射器材料按反射率從高到低的順序排列。
| Separator Types and Thicknesses in Order of Decreasing Reflectivity | ||
| Material | Thickness Range | Approximate Relative Reflectivity |
| White Powder (e.g. TiO2, MgO) | 0.25 mm and up | 100% |
| Teflon Sheet | 0.15 mm - 0.50 mm | 98% |
| White Reflector Paint | 0.04 mm - 0.10 mm | 96% |
| White Plastic | 0.05 mm and up | 95% |
| White Epoxy | 0.10 mm - 0.75 mm | 94% |
| Composites | 0.10 mm and up | 94% |
| Aluminum/Epoxy | 0.05 mm - 0-.1 mm | 75% |
| Metals (Pb, Ta) / Epoxy | 0.05 mm and up | 65% |
陣列閃爍體特性:
| Material | CsI(Tl) | CdWO4 | BGO | LYSO |
| afterglow | 0.5-5% @6ms | 0.1% @3ms | 0.005% @3ms | <0.1% @6ms |
| Primary Decay Time (ns) | 1000 | 14000 | 300 | 36 |
| Wavelength of Maximum Emission [nm] | 550 | 475 | 480 | 420 |
| Relative Rad Hardness | Medium | High | High | High |
| Relative Light Output [photons/keV] | 54 | 13 | 9 | 32 |
| Hygroscopic | slightly | no | no | no |
| Solubility in H2O, g/100g@25oC | 85.5 | 0.5 | / | / |
| Density, g/cm3 | 4.51 | 8.0 | 7.13 | 7.10 |
低余輝線性 CsI(Tl) 分段陣列:
CsI(Tl) 傳感器陣列制造技術的進展使得后輝光現象得到減少,光輸出得以提高,且后輝光的均勻性也有所改善。單能量、雙能量、固定框架、旋轉機架以及基于 CsI(Tl) 的各種陣列均可應用于眾多行業的高質量 X 射線成像應用中,包括(安全行李掃描、貨物掃描、醫療、非破壞性工業檢測等)。
| Array Performance (Typical) | |
| Light output uniformity | ±10% within an array (requires matchingphotodiode) |
| Light output array to array | ±10% |
| Afterglow | 5000ppm @100ms (initial test) ≤2500ppm (after burn-in) |
| Afterglow uniformity | ±10% within an array |
| Array Design Capabilities | |
| Number of channels (typical) | 8-64 |
| Minimum pitch | 0.5mm |
| X-Ray thickness | 50mm Max |
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